Компания Samsung объявила о начале производства новой твердотельной флеш-памяти eUFS 3.1, которую будут использовать в топовых смартфонах и планшетах.
Новые чипы выйдут объемом 128 Гб, 256 Гб и 512 Гб. Максимальная скорость последовательной записи памяти eUFS 3.1 составляет 1200 Мб/сек., а чтения — до 2100 Мб/сек. У предыдущего поколения эти цифры составляют всего 410 Мб/сек. и 540 МБ/сек. соответственно. Что же касается операций чтения с произвольным доступом, то здесь скорость памяти заявлена на уровне 100 000 IOPS, а записи — 70 000 IOPS.
Массовое использование eUFS 3.1 начнется уже в этом году в новых флагманских смартфонах Samsung.
