Сразу в пять раз удалось повысить быстродействие мощных полупроводниковых приборов, выпуск которых освоен заводом «Транзистор» Научно-производственного объединения «Интеграл». Таким образом, отечественные производители вышли на параметры лучших мировых аналогов подобной продукции, что открывает широкие перспективы для ее экспорта, а также для улучшения качества производимой в стране промышленной автоматики, программируемых станков, автомобильной электроники.
Этот успех с заводчанами по праву разделили ученые Государственного научно-производственного объединения «Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению» (бывшего Объединенного института физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси), которые в рамках государственной научно-технической программы «Микроэлектроника» не только разработали революционные технологии, но и взяли на себя выполнение ключевой финишной операции. Отныне каждую пятницу электронный линейный ускоритель центра участвует не в научных экспериментах, а в заводской производственной программе: «расстреливает» быстрыми электронами доставленные с предприятия новенькие транзисторы, изготовленные за неделю.
Тому, кто слышал о губительном воздействии радиации на микроэлектронные приборы, такая обработка может показаться недоразумением. Ведь высокоэнергетические частицы, пробивая изготовленные на кремниевых пластинах микросхемы, серьезно повреждают их и, в конце концов, выводят из строя. Вот почему приборы на спутниках стараются защитить специальными экранами от космического излучения. Такие же меры предосторожности конструкторы вынуждены принимать, чтобы продлить срок службы техники, предназначенной для работы в условиях повышенного радиационного за-грязнения. Но тут полупроводниковые приборы почему-то преднамеренно «калечат» на ускорителе, который за несколько минут пробивает в них миллиарды мельчайших отверстий.
— Теоретические исследования и эксперименты, проводимые в нашем центре, позволили установить, что радиация не является для микроэлектроники «абсолютным злом», — поясняет один из авторов разработки, главный научный сотрудник лаборатории радиационных воздействий, доктор технических наук Юрий Богатырев. — В относительно малых дозах такое выверенное воздействие способно существенно улучшить параметры полупроводниковых приборов. При этом их ресурс не сокращается. Выбивая из узлов кристаллической решетки атомы и привнося другие дефекты, электроны создают условия для работы полупроводниковых приборов в более быстродействующем режиме. Похожий результат, кстати, достигается, если в кремний в качестве примеси добавить золото и платину. Практикуется это как у нас, так и за рубежом. Но драгоценные металлы дают возможность получить лишь 20 процентов выхода годной продукции, а быстрые электроны – 80 процентов. К тому же предложенный нами процесс не требует изменения базовой технологии, он гораздо проще и дешевле. И это позволит получить большой экономический эффект.
«Проводник в мир высоких технологий» — такой лозунг, украшающий логотип завода «Транзистор», ко многому обязывает. А потому предприятие намерено и в дальнейшем тесно сотрудничать с наукой.
